대학공지사항
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| 제목 |
[RISE] 2026학년도 하계 RISE AI-반도체 Boot Camp 참여 학생 선발 알림 |
| 작성자 |
RISE사업단 |
조회수 |
1141 |
날짜 |
2026-06-16 |
| 첨부파일 |
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2026학년도 하계 RISE AI-반도체 Boot Camp에 지원해 주셔서 감사합니다.
참여 학생을 선발하여 발표하오니 대상자께서는 일정을 다시 한번 확인하여 주시기 바랍니다.
운영개요
◦(프로그램명) 2026학년도 하계 RISE AI-반도체 Boot Camp
◦(일시) 2026. 7. 13.(월)~15.(수), 2박 3일
◦(장소) 서울과학기술대학교 서울테크노파크
◦(대상) 본교 학부 재학생 5명 및 컨소시엄 대학 재학생 15명
운영일정
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일자
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시간
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1조
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2조
|
3조
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비고
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7. 13.
(월)
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10:00~10:30
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30
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참가자 등록
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10:30~12:00
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90
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Introduction/반도체 개론 및 MOSFET 소자 이해
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서울과기대 섭외 예정
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12:00~13:00
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60
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점심시간
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13:00~14:30
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90
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Photolithography
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아주대 섭외 예정
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14:30~14:45
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15
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휴식시간
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14:45~16:15
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90
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Etching
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금오공대 섭외 예정
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16:15~16:30
|
15
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휴식시간
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16:30~18:00
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90
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Deposition
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한밭대 섭외 예정
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7. 14.
(화)
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09:00~09:30
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30
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서울테크노파크 6층 스마트홀 C 집결
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09:30~10:30
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60
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청정실 안전교육
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6층 스마트홀 C
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10:30~11:00
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30
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FAB / 3층 실험실 이동
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11:00~12:30
|
90
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DEPOSITION
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ICP(DRY ETCH)
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SEM&EDX
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12:30~13:30
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60
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점심시간
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13:30~14:00
|
30
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FAB 이동
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14:00~15:30
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90
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OXIDATION&PHOTO
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DEPOSITION
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ICP(DRY ETCH)
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15:30~17:00
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90
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ELECTROPLATE
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OXIDATION&PHOTO
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DEPOSITION
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17:00~17:30
|
30
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FAB 퇴실
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7. 15.
(수)
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09:00~09:30
|
30
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서울테크노파크 6층 스마트홀 C 집결
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|
09:30~10:00
|
30
|
FAB
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10:00~11:30
|
90
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WET ETCH
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ELECTROPLATE
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OXIDATION&PHOTO
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11:30~12:30
|
60
|
점심시간
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12:30~13:00
|
30
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FAB / 3층 실험실 이동
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13:00~14:00
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60
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ICP(DRY ETCH)
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WET ETCH
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ELECTROPLATE
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14:00~14:30
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30
|
FAB / 3층 실험실 이동
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14:30~15:30
|
60
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SEM&EDX
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WET ETCH
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15:30~15:45
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15
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스마트홀 C 이동 / 휴식
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15:45~16:30
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45
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수료식
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해산
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선발명단
| 연번 |
학과 |
학번 |
성명 |
성별 |
숙박 |
비고 |
| 1 |
전자IT미디어공학과 |
22101457 |
이○환 |
남 |
X |
|
| 2 |
전기정보공학과 |
22101268 |
박○영 |
남 |
X |
|
| 3 |
건설시스템공학과 |
23100697 |
김○영 |
여 |
O |
추가서류제출 |
| 4 |
전기정보공학과 |
22101239 |
김○인 |
여 |
X |
|
| 5 |
전자IT미디어공학과 |
22101409 |
김○환 |
남 |
X |
|
| 예비1 |
전기정보공학과 |
21101264 |
김○현 |
남 |
X |
|
| 예비2 |
스마트ICT융합공학과 |
23101478 |
신○용 |
남 |
O |
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추가 제출서류
◦결핵검진확인서(보건소) 1부.
※ 숙소 이용 학생만 '26. 6. 19.(금) 오전 11시까지 제출
※ 기한 내 추가 서류 미제출 시 예비 선발자가 참여함
제출처: Techno Cube 401호 RISE사업단 인재육성팀 또는 이메일 rise@seoultech.ac.kr 제출
붙임 2026학년도 하계 RISE AI-반도체 Boot Camp 안내 1부. 끝.
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